Справочник MOSFET. HMS28N65F

 

HMS28N65F Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS28N65F
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 28 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.13 Ohm
   Тип корпуса: TO220F
 
   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS28N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:792K  cn hmsemi
 hms28n65 hms28n65d hms28n65f.pdf pdf_icon

HMS28N65F

HMS28N65/HMS28N65D/HMS28N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 110 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 28 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and ind

 6.1. Size:676K  cn hmsemi
 hms28n65t.pdf pdf_icon

HMS28N65F

HMS28N65TN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 110 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 28 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power appli

Другие MOSFET... HMS21N70 , HMS21N70A , HMS21N70F , HMS25N65 , HMS25N65D , HMS25N65F , HMS28N65 , HMS28N65D , IRF830 , HMS28N65T , HMS29N65 , HMS29N65D , HMS29N65F , HMS3205 , HMS3205D , HMS35DN10DA , HMS35N10K .

History: MPSP60M600

 

 
Back to Top

 


 
.