HMS29N65F Todos los transistores

 

HMS29N65F MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS29N65F
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 29 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.11 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de HMS29N65F MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

HMS29N65F Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1005K  cn hmsemi
 hms29n65 hms29n65d hms29n65f.pdf pdf_icon

HMS29N65F

HMS29N65/HMS29N65D/HMS29N65FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced trench gate super V 650 V DSjunction technology and design to provide excellent RDS(ON) R 96 m DS(ON)TYPwith low gate charge. This super junction MOSFET fits the ID 2 A industrys AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and indu

Otros transistores... HMS25N65D , HMS25N65F , HMS28N65 , HMS28N65D , HMS28N65F , HMS28N65T , HMS29N65 , HMS29N65D , P60NF06 , HMS3205 , HMS3205D , HMS35DN10DA , HMS35N10K , HMS38N60T , HMS4030 , HMS4030D , HMS40N10D .

History: IPD70N12S3L-12 | SWP066R72E7T | CS3N70F | SSM6N7002FU | NCE3407AY | OSG55R380PF

 

 
Back to Top

 


 
.