HMS3205 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS3205
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 180 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 60 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.4 V
Carga de la puerta (Qg): 67 nC
Tiempo de subida (tr): 5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 680 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.004 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS3205
HMS3205 Datasheet (PDF)
hms3205.pdf
HMS3205 N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS3205 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for DS(ON) ghigh-frequency switching and synchronous rectifi
hms3205d.pdf
HMS3205 N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for DS(ON) ghigh-frequency switching and synchronous recti
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