HMS3205 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS3205  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 180 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 120 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 680 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.004 Ohm

Тип корпуса: TO220

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS3205

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS3205 даташит

 ..1. Size:945K  cn hmsemi
 hms3205.pdf pdf_icon

HMS3205

HMS3205 N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS3205 uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for DS(ON) g high-frequency switching and synchronous rectifi

 0.1. Size:1134K  cn hmsemi
 hms3205d.pdf pdf_icon

HMS3205

HMS3205 N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of R and Q . This device is ideal for DS(ON) g high-frequency switching and synchronous recti

Другие IGBT... HMS25N65F, HMS28N65, HMS28N65D, HMS28N65F, HMS28N65T, HMS29N65, HMS29N65D, HMS29N65F, IRFB31N20D, HMS3205D, HMS35DN10DA, HMS35N10K, HMS38N60T, HMS4030, HMS4030D, HMS40N10D, HMS4110T