HMS4110T MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HMS4110T
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 300 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 180 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4.5 V
   Carga de la puerta (Qg): 158 nC
   Tiempo de subida (tr): 75 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 2480 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.003 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS4110T

HMS4110T Datasheet (PDF)

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hms4110t.pdf

HMS4110TN-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS4110T uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectificat

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