HMS4110T datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS4110T  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 300 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 180 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 75 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 2480 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.003 Ohm

Тип корпуса: TO247

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS4110T

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS4110T даташит

 ..1. Size:692K  cn hmsemi
 hms4110t.pdf pdf_icon

HMS4110T

HMS4110T N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS4110T uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectificat

Другие IGBT... HMS3205, HMS3205D, HMS35DN10DA, HMS35N10K, HMS38N60T, HMS4030, HMS4030D, HMS40N10D, IRF9640, HMS4260, HMS4264, HMS4290, HMS4294, HMS4296, HMS4296B, HMS4438, HMS4444A