HMS45N15K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS45N15K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 130 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 150 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 45 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 21.1 nC
Tiempo de subida (tr): 6.5 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 162 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0275 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS45N15K
HMS45N15K Datasheet (PDF)
hms45n15k.pdf
N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi
hms45n15d.pdf
HMS45N15D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS45N15D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi
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