HMS45N15K Todos los transistores

 

HMS45N15K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: HMS45N15K
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 130 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 162 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0275 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
     - Selección de transistores por parámetros

 

HMS45N15K Datasheet (PDF)

 ..1. Size:480K  cn hmsemi
 hms45n15k.pdf pdf_icon

HMS45N15K

N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi

 6.1. Size:693K  cn hmsemi
 hms45n15d.pdf pdf_icon

HMS45N15K

HMS45N15D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS45N15D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi

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History: FTK5N80DD | CSD85312Q3E | BUK7616-55A

 

 
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