HMS45N15K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS45N15K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 130 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 162 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0275 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS45N15K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS45N15K даташит

 ..1. Size:480K  cn hmsemi
 hms45n15k.pdf pdf_icon

HMS45N15K

N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi

 6.1. Size:693K  cn hmsemi
 hms45n15d.pdf pdf_icon

HMS45N15K

HMS45N15D N-Channel Super Trench Power MOSFET Description The HMS45N15D uses Super Trench technology that is uniquely optimized to provide the most efficient high frequency switching performance. Both conduction and switching power losses are minimized due to an extremely low combination of RDS(ON) and Qg. This device is ideal for high-frequency switching and synchronous rectifi

Другие IGBT... HMS4290, HMS4294, HMS4296, HMS4296B, HMS4438, HMS4444A, HMS4454, HMS45N15D, AO4468, HMS47N60A, HMS47N65A, HMS4N70, HMS4N70D, HMS4N70F, HMS4N70I, HMS4N70K, HMS50N12DA