HMS4N70 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: HMS4N70
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.5 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220

Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS4N70

HMS4N70 Datasheet (PDF)

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hms4n70 hms4n70d hms4n70f.pdf

HMS4N70,HMS4N70D,HMS4N70FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app

0.1. Size:1172K cn hmsemi
hms4n70k hms4n70i.pdf

HMS4N70K,HMS4N70I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 700 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

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Liste

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