HMS4N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: HMS4N70
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
Тип корпуса: TO220
HMS4N70 Datasheet (PDF)
hms4n70 hms4n70d hms4n70f.pdf

HMS4N70,HMS4N70D,HMS4N70FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app
hms4n70k hms4n70i.pdf

HMS4N70K,HMS4N70I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 700 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.
Другие MOSFET... HMS4296B , HMS4438 , HMS4444A , HMS4454 , HMS45N15D , HMS45N15K , HMS47N60A , HMS47N65A , IRF3205 , HMS4N70D , HMS4N70F , HMS4N70I , HMS4N70K , HMS50N12DA , HMS50N15LD , HMS5N90I , HMS5N90K .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: JMTQ080P03A | JMTQ075N03D | JMTQ062N04A | JMTQ055N04A | JMTQ050N02A | JMTQ040N03A | JMTQ025N02A | JMTP11DN10A | JMTP110N06D | JMTP110N06A | JMTP085P02A | JMTP080P03A | JMTP080N04D | JMTP080N04A | JMTP075N06A | JMTP045N03A
Popular searches
2n5401 transistor equivalent | p0903bdg | c1384 transistor | 2sc1175 | 2sc632 | mje15030 transistor equivalent | 13003b | 2n6121