Справочник MOSFET. HMS4N70

 

HMS4N70 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: HMS4N70
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm
   Тип корпуса: TO220
 

 Аналог (замена) для HMS4N70

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS4N70 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1041K  cn hmsemi
 hms4n70 hms4n70d hms4n70f.pdf pdf_icon

HMS4N70

HMS4N70,HMS4N70D,HMS4N70FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app

 0.1. Size:1172K  cn hmsemi
 hms4n70k hms4n70i.pdf pdf_icon

HMS4N70

HMS4N70K,HMS4N70I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 700 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

Другие MOSFET... HMS4296B , HMS4438 , HMS4444A , HMS4454 , HMS45N15D , HMS45N15K , HMS47N60A , HMS47N65A , IRF3205 , HMS4N70D , HMS4N70F , HMS4N70I , HMS4N70K , HMS50N12DA , HMS50N15LD , HMS5N90I , HMS5N90K .

History: IRF5801 | AUIRFB4410 | IRFP90N20DPBF | SES760

 

 
Back to Top

 


 
.