HMS4N70I Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: HMS4N70I  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 46 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 700 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 26 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.4 Ohm

Encapsulados: TO251

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HMS4N70I datasheet

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HMS4N70I

HMS4N70K,HMS4N70I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 700 V DS technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

 7.1. Size:1041K  cn hmsemi
 hms4n70 hms4n70d hms4n70f.pdf pdf_icon

HMS4N70I

HMS4N70,HMS4N70D,HMS4N70F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app

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