HMS4N70K MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: HMS4N70K
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 46 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 700 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 4 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3.5 V
Carga de la puerta (Qg): 6.5 nC
Tiempo de subida (tr): 3 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 26 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.4 Ohm
Paquete / Cubierta: TO252
Búsqueda de reemplazo de MOSFET HMS4N70K
HMS4N70K Datasheet (PDF)
hms4n70k hms4n70i.pdf
HMS4N70K,HMS4N70I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 700 V DStechnology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.
hms4n70 hms4n70d hms4n70f.pdf
HMS4N70,HMS4N70D,HMS4N70FN-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industrys ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app
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