HMS4N70K datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: HMS4N70K  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 46 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 26 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.4 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для HMS4N70K

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

HMS4N70K даташит

 ..1. Size:1172K  cn hmsemi
 hms4n70k hms4n70i.pdf pdf_icon

HMS4N70K

HMS4N70K,HMS4N70I N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction V 700 V DS technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power applications.

 7.1. Size:1041K  cn hmsemi
 hms4n70 hms4n70d hms4n70f.pdf pdf_icon

HMS4N70K

HMS4N70,HMS4N70D,HMS4N70F N-Channel Super Junction Power MOSFET General Description The series of devices use advanced super junction VDS 700 V technology and design to provide excellent RDS(ON) with low RDS(ON)TYP. 1200 m gate charge. This super junction MOSFET fits the industry s ID 4 A AC-DC SMPS requirements for PFC, AC/DC power conversion, and industrial power app

Другие IGBT... HMS45N15D, HMS45N15K, HMS47N60A, HMS47N65A, HMS4N70, HMS4N70D, HMS4N70F, HMS4N70I, IRF540N, HMS50N12DA, HMS50N15LD, HMS5N90I, HMS5N90K, HMS60N04EQ, HMS60N06D, HMS60N10D, HMS65N03Q