AO3413L Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: AO3413L  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 6.1 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 72 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.097 Ohm

Encapsulados: SOT23

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AO3413L datasheet

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AO3413L

AO3413 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO3413/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3 A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

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AO3413L

AO3413 20V P-Channel MOSFET General Description Features General Description Features The AO3413 uses advanced trench technology to VDS = -20V The AO3413 uses advanced trench technology to VDS = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3A (VGS = -4.5V) provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This

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AO3413L

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO3413 (KO3413) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-20V ID =-3 A (VGS =-4.5V) 1 2 RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V) +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 130m (VGS =-1.8V) 1. Gate 2. Source D D 3. Drain G G S S Absolute

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AO3413L

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO3413 (KO3413) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-3 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) 1 2 +0.1 0.95-0.1 0.1+0.05 -0.01 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V) +0.1 1.9-0.1 RDS(ON) 130m (VGS =-1.8V) 1. Gate D D 2. Source 3. Drain G G S S Absolute Maxim

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