AO3413L datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: AO3413L  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.4 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 20 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 72 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.097 Ohm

Тип корпуса: SOT23

  📄📄 Копировать ⓘ

Аналог (замена) для AO3413L

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

AO3413L даташит

 ..1. Size:192K  1
 ao3413l.pdf pdf_icon

AO3413L

AO3413 P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features The AO3413/L uses advanced trench technology to VDS (V) = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3 A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This RDS(ON)

 8.1. Size:456K  aosemi
 ao3413.pdf pdf_icon

AO3413L

AO3413 20V P-Channel MOSFET General Description Features General Description Features The AO3413 uses advanced trench technology to VDS = -20V The AO3413 uses advanced trench technology to VDS = -20V provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3A (VGS = -4.5V) provide excellent RDS(ON), low gate charge and ID = -3A (VGS = -4.5V) operation with gate voltages as low as 1.8V. This

 8.2. Size:2287K  kexin
 ao3413-3.pdf pdf_icon

AO3413L

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO3413 (KO3413) SOT-23-3 Unit mm +0.2 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 3 Features VDS (V) =-20V ID =-3 A (VGS =-4.5V) 1 2 RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) +0.02 +0.1 0.15 -0.02 0.95 -0.1 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V) +0.1 1.9-0.2 RDS(ON) 130m (VGS =-1.8V) 1. Gate 2. Source D D 3. Drain G G S S Absolute

 8.3. Size:2128K  kexin
 ao3413.pdf pdf_icon

AO3413L

SMD Type MOSFET P-Channel MOSFET AO3413 (KO3413) SOT-23 Unit mm +0.1 2.9-0.1 +0.1 0.4 -0.1 Features 3 VDS (V) =-20V ID =-3 A (VGS =-4.5V) RDS(ON) 80m (VGS =-4.5V) 1 2 +0.1 0.95-0.1 0.1+0.05 -0.01 RDS(ON) 100m (VGS =-2.5V) +0.1 1.9-0.1 RDS(ON) 130m (VGS =-1.8V) 1. Gate D D 2. Source 3. Drain G G S S Absolute Maxim

ПОКАЗАТЬ ЕЩЁ

Другие IGBT... HMS8N65I, HMS8N65K, HMS8N70, HMS8N70D, HMS8N70F, HMS8N70I, HMS8N70K, HMS90N04D, IRF1010E, CSD30N70, FNK6075K, KMK1265F, ZM075N03D, YSP040N010T1A, YSK038N010T1A, YSF040N010T1A, 2SK741