ZM075N03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: ZM075N03D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 55 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 30 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 55 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 2.5 V

Carga de la puerta (Qg): 12 nC

Tiempo de subida (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 235 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0092 Ohm

Paquete / Cubierta: TO252

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ZM075N03D Datasheet (PDF)

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ZM075N03D ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM075N03D combines advanced trench V =30V DSMOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON)R =7.5m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =55A D Features Advance hi

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