ZM075N03D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: ZM075N03D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 55 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 55 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 235 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0092 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

Búsqueda de reemplazo de MOSFET ZM075N03D

ZM075N03D Datasheet (PDF)

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zm075n03d.pdf

ZM075N03D ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM075N03D combines advanced trench V =30V DSMOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON)R =7.5m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =55A D Features Advance hi

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: