ZM075N03D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: ZM075N03D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TO252
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
ZM075N03D Datasheet (PDF)
zm075n03d.pdf

ZM075N03D ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM075N03D combines advanced trench V =30V DSMOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON)R =7.5m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =55A D Features Advance hi
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: OSG60R092FF | AO6804A | SFW9510 | 4N65L-TN3-R | WMJ38N60C2 | IPP65R380E6 | 2SK066400L
History: OSG60R092FF | AO6804A | SFW9510 | 4N65L-TN3-R | WMJ38N60C2 | IPP65R380E6 | 2SK066400L



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647