ZM075N03D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: ZM075N03D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для ZM075N03D
ZM075N03D Datasheet (PDF)
zm075n03d.pdf

ZM075N03D ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM075N03D combines advanced trench V =30V DSMOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON)R =7.5m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =55A D Features Advance hi
Другие MOSFET... HMS8N70F , HMS8N70I , HMS8N70K , HMS90N04D , AO3413L , CSD30N70 , FNK6075K , KMK1265F , 5N65 , YSP040N010T1A , YSK038N010T1A , YSF040N010T1A , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY .



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APJ10N65P | APJ10N65T | APJ10N65F | AP65R950 | APJ10N65D | APG80N10T | APG80N10P | APG80N10NF | APG60N10T | APG60N10P | AP100P02NF | AP100N08D | AP100N04NF | AP100N04D | AP100N03Y | AP100N03T
Popular searches
a1695 datasheet | 3415 transistor | 072ne6pt | 2sd388 | 2sc1400 | 2sd331 | 2sc1312 datasheet | 2sb647