ZM075N03D datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: ZM075N03D  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 55 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 55 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 235 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0092 Ohm

Тип корпуса: TO252

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для ZM075N03D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

ZM075N03D даташит

 ..1. Size:427K  1
 zm075n03d.pdf pdf_icon

ZM075N03D

ZM075N03D ZMJ SEMICONDUCTOR CO., LTD 30V N-Channel Power MOSFET General Description Product Summary The ZM075N03D combines advanced trench V =30V DS MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low R . This device is ideal DS(ON) R =7.5m DS(ON) for load switch and battery protection applications. I =55A D Features Advance hi

Другие IGBT... HMS8N70F, HMS8N70I, HMS8N70K, HMS90N04D, AO3413L, CSD30N70, FNK6075K, KMK1265F, 4435, YSP040N010T1A, YSK038N010T1A, YSF040N010T1A, 2SK741, DTM4415, GWM13S65YRE, GWM13S65YRD, GWM13S65YRY