YSF040N010T1A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: YSF040N010T1A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Máxima disipación de potencia (Pd): 30 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 100 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 120 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 67 nC
   Tiempo de subida (tr): 84 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 1080 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET YSF040N010T1A

YSF040N010T1A Datasheet (PDF)

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ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: