YSF040N010T1A Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: YSF040N010T1A  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 100 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm

Encapsulados: TO220F

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YSF040N010T1A datasheet

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 ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf pdf_icon

YSF040N010T1A

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on) I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Otros transistores... HMS90N04D, AO3413L, CSD30N70, FNK6075K, KMK1265F, ZM075N03D, YSP040N010T1A, YSK038N010T1A, AON7410, 2SK741, DTM4415, GWM13S65YRE, GWM13S65YRD, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, RX80N07, SVG104R5NT