YSF040N010T1A Todos los transistores

 

YSF040N010T1A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: YSF040N010T1A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 30 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 120 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 84 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 1080 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0042 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F
 

 Búsqueda de reemplazo de YSF040N010T1A MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

YSF040N010T1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  cn luxin semi
 ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf pdf_icon

YSF040N010T1A

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Otros transistores... HMS90N04D , AO3413L , CSD30N70 , FNK6075K , KMK1265F , ZM075N03D , YSP040N010T1A , YSK038N010T1A , 20N50 , 2SK741 , DTM4415 , GWM13S65YRE , GWM13S65YRD , GWM13S65YRY , GWM13S65YRX , RX80N07 , SVG104R5NT .

History: IPB048N15N5 | SMK0765FJ

 

 
Back to Top

 


 
.