Справочник MOSFET. YSF040N010T1A

 

YSF040N010T1A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: YSF040N010T1A

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 30 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 100 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 120 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 67 nC

Время нарастания (tr): 84 ns

Выходная емкость (Cd): 1080 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.0042 Ohm

Тип корпуса: TO220F

Аналог (замена) для YSF040N010T1A

 

 

YSF040N010T1A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:476K  cn luxin semi
ysp040n010t1a ysk038n010t1a ysf040n010t1a.pdf

YSF040N010T1A YSF040N010T1A

YSP040N010T1A YSK038N010T1A YSF040N010T1A 100V N-Channel Power MOSFET Features N-channel Power MOSFET V 100 V DS Extremely low on-resistance R DS(on)I 120 A D Excellent Q x R product(FOM) g DS(on) Qualified according to JEDEC criteria m R

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 18N50 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top