DTM4415 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: DTM4415  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10.9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

|VGSth|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 2.5 V

Qgⓘ - Carga de la puerta: 57 nC

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 455 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.01 Ohm

Encapsulados: SO8

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DTM4415 datasheet

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DTM4415

DTM4415 www.din-tek.jp P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested 0.009 at VGS = - 10 V - 13.5 RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 0.012 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S 3 6 D G D 4

Otros transistores... CSD30N70, FNK6075K, KMK1265F, ZM075N03D, YSP040N010T1A, YSK038N010T1A, YSF040N010T1A, 2SK741, TK10A60D, GWM13S65YRE, GWM13S65YRD, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, RX80N07, SVG104R5NT, SVG104R5NS, VS1401ATH