DTM4415 datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: DTM4415  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.7 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 455 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.01 Ohm

Тип корпуса: SO8

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для DTM4415

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

DTM4415 даташит

 ..1. Size:339K  1
 dtm4415.pdf pdf_icon

DTM4415

DTM4415 www.din-tek.jp P-Channel 30-V (D-S) MOSFET FEATURES PRODUCT SUMMARY DT-Trench Power MOSFET VDS (V) RDS(on) ( ) ID (A)d Qg (Typ.) 100 % Rg Tested 100 % UIS Tested 0.009 at VGS = - 10 V - 13.5 RoHS - 30 29.5 nC COMPLIANT 0.012 at VGS = - 4.5 V - 11.6 APPLICATIONS Load Switch Notebook Adaptor Switch SO-8 S S 1 8 D S D 2 7 G S 3 6 D G D 4

Другие IGBT... CSD30N70, FNK6075K, KMK1265F, ZM075N03D, YSP040N010T1A, YSK038N010T1A, YSF040N010T1A, 2SK741, STP80NF70, GWM13S65YRE, GWM13S65YRD, GWM13S65YRY, GWM13S65YRX, RX80N07, SVG104R5NT, SVG104R5NS, VS1401ATH