VS3620DP-G Todos los transistores

 

VS3620DP-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3620DP-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 31 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 56 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 55 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 540 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0064 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN5X6
 

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VS3620DP-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:983K  cn vgsemi
 vs3620dp-g.pdf pdf_icon

VS3620DP-G

VS3620DP-G30V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 4.9 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.3 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 56 A Very low on-resistanceI D(Package Limited) 36 A VitoMOS TechnologyPDFN5x6 Dual Fast Switching and High efficiency 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPar

 6.1. Size:1033K  cn vgsemi
 vs3620dp2-g.pdf pdf_icon

VS3620DP-G

VS3620DP2-G30V Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 4.6 4.6 m Dual Asymmetric N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 7.6 7.6 m Very low on-resistanceI D(Wire bond Limited) 45 45 A VitoMOS Technology 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN5x6 Dual Opt2 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimiz

 7.1. Size:1036K  cn vgsemi
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VS3620DP-G

VS3620DE-G30V/18A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 6.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 9 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 37 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 18 A 100% Avalanche TestedPDFN3333 DualPart ID Package Type Marking PackingVS3620DE-G PDFN3333 Dual 36

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VS3620DP-G

VS3620GPMC30V/36A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 30 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 5.4 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 8.1 m VitoMOS TechnologyI D(Silicon Limited) 60 A Fast Switching and High efficiencyI D(Package Limited) 36 A 100% Avalanche testPDFN5x6Part ID Package Type Marking PackingVS3620GPMC PDFN5x6 3620GP 3000PCS/Reel

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History: PDS4909 | JCS88N75I | IXFB38N100Q2 | INK021AAP1

 

 
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