VS3622DS Todos los transistores

 

VS3622DS MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3622DS

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm

Encapsulados: SOP8

 Búsqueda de reemplazo de VS3622DS MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS3622DS datasheet

 ..1. Size:1056K  cn vgsemi
 vs3622ds.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DS 30V/12A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3622DS SOP8 3622DS 300

 7.1. Size:735K  cn vanguard
 vs3622de.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

 7.2. Size:1142K  cn vgsemi
 vs3622dp2.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DP2 30V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement mode I D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 7.3. Size:1113K  cn vgsemi
 vs3622dp.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DP 30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Markin

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , STF13NM60N , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G .

History: VS3640DP3 | VS3622DP2 | VN0106N6 | WMK11N80M3 | WMK11N65SR | WMJ12N105C2

 

 

 

 

↑ Back to Top
.