VS3622DS Todos los transistores

 

VS3622DS MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS3622DS
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 12 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11.2 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 140 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.013 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de VS3622DS MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

VS3622DS Datasheet (PDF)

 ..1. Size:1056K  cn vgsemi
 vs3622ds.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DS30V/12A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement modeI D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V High EffectiveSOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Marking PackingVS3622DS SOP8 3622DS 300

 7.1. Size:735K  cn vanguard
 vs3622de.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

 7.2. Size:1142K  cn vgsemi
 vs3622dp2.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DP230V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement modeI D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 7.3. Size:1113K  cn vgsemi
 vs3622dp.pdf pdf_icon

VS3622DS

VS3622DP30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETFeaturesV DS 30 VR DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel5V Logic Level ControlR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement modeI D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliantPart ID Package Type Markin

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , IRFZ24N , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G .

History: MPG08N68S | SVT3025D4

 

 
Back to Top

 


 
.