VS3622DS - описание и поиск аналогов

 

VS3622DS. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: VS3622DS

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 12 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 11.2 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 140 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.013 Ohm

Тип корпуса: SOP8

Аналог (замена) для VS3622DS

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

VS3622DS даташит

 ..1. Size:1056K  cn vgsemi
vs3622ds.pdfpdf_icon

VS3622DS

VS3622DS 30V/12A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 12 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V High Effective SOP8 Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Marking Packing VS3622DS SOP8 3622DS 300

 7.1. Size:735K  cn vanguard
vs3622de.pdfpdf_icon

VS3622DS

VS3622DE 30V/35A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 14 m Enhancement mode I D 35 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching PDFN3333 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compliant Tape and reel

 7.2. Size:1142K  cn vgsemi
vs3622dp2.pdfpdf_icon

VS3622DS

VS3622DP2 30V/42A Dual Asymmetric N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.5 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m Enhancement mode I D 42 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual Opt2 100% Avalanche Tested Pb-free lead plating; RoHS compl

 7.3. Size:1113K  cn vgsemi
vs3622dp.pdfpdf_icon

VS3622DS

VS3622DP 30V/40A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET Features V DS 30 V R DS(on),TYP@ VGS=10 V 8.7 m Dual N-Channel 5V Logic Level Control R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 12 m Enhancement mode I D 40 A Low on-resistance RDS(on) @ VGS=4.5 V Fast Switching 100% Avalanche Tested PDFN5x6 Dual Pb-free lead plating; RoHS compliant Part ID Package Type Markin

Другие MOSFET... VS1401ATH , HCCW120R080H1 , HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , STF13NM60N , VS3628DE-G , VS3638DE-G , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G .

History: SM1A35PSU | WMK10N80M3 | 3N80L-TA3-T | AOB270AL | VS3622DP | 2SK4077-ZK | AOB600A70FL

 

 

 

 

↑ Back to Top
.