VS3638DE-G Todos los transistores

 

VS3638DE-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: VS3638DE-G

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 18 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 27 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 150 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.016 Ohm

Encapsulados: PDFN3333

 Búsqueda de reemplazo de VS3638DE-G MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

VS3638DE-G datasheet

 ..1. Size:1065K  cn vgsemi
 vs3638de-g.pdf pdf_icon

VS3638DE-G

VS3638DE-G 30V/15A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 12 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 20 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 27 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 15 A Fast Switching and High efficiency PDFN3333 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Pac

 8.1. Size:1664K  cn vgsemi
 vs3638ge.pdf pdf_icon

VS3638DE-G

VS3638GE 30V/23A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 11 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 20 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 40 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 23 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3638GE PDFN3333 3638GE

 8.2. Size:1074K  cn vgsemi
 vs3638ga.pdf pdf_icon

VS3638DE-G

VS3638GA 30V/12A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 10 m R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 18 m Enhancement mode VitoMOS Technology I D 12 A Low Gate Charge DFN2x2x0.75-6L Part ID Package Type Marking Packing VS3638GA DFN2x2x0.75-6L 3638 3000PCS/Reel Maximum ratings, at TA =25 C, unless otherwise specified Symbol Parameter Ratin

 9.1. Size:836K  cn vgsemi
 vs3633ge.pdf pdf_icon

VS3638DE-G

VS3633GE 30V/24A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 30 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 9.5 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 15 m VitoMOS Technology I D(Silicon Limited) 32 A Fast Switching and High efficiency I D(Package Limited) 24 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Part ID Package Type Marking Packing VS3633GE PDFN3333 3633G

MOSTRAR MÁS

Otros transistores... HCCZ120R080H1 , VS3620DE-G , VS3620DP-G , VS3622DP , VS3622DP2 , VS3622DP3 , VS3622DS , VS3628DE-G , 2N60 , VS3640DB , VS3640DE , VS3640DP , VS3640DP3 , VS3645DE-G , VS4620DE-G , VS4620DP-G , VS4620DS-G .

History: WSD1216DN22 | WSD30L60DN56 | SWYN7N65D | VS3640DP | SI9945BDY-T1

 

 

 

 

↑ Back to Top
.