VS4620DE-G Todos los transistores

 

VS4620DE-G MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: VS4620DE-G
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 40 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 47 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.012 Ohm
   Paquete / Cubierta: PDFN3333
     - Selección de transistores por parámetros

 

VS4620DE-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:955K  cn vgsemi
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VS4620DE-G

VS4620DE-G40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 9 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 47 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 Dual Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPa

 7.1. Size:962K  cn vgsemi
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VS4620DE-G

VS4620DP-G40V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 48 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 36 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packi

 7.2. Size:952K  cn vgsemi
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VS4620DE-G

VS4620DS-G40V/11A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 8.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS TechnologyI D 11 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedSOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVS4620DS-G SOP8 4620DS 3000pcs/Reel

 8.1. Size:894K  cn vgsemi
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VS4620DE-G

VS4620GD40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologI D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS4620GD TO-252 4620

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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