VS4620DS-G MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: VS4620DS-G
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 11 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 29 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 265 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0105 Ohm
Encapsulados: SOP8
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VS4620DS-G datasheet
vs4620ds-g.pdf
VS4620DS-G 40V/11A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 8.1 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS Technology I D 11 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested SOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Part ID Package Type Marking Packing VS4620DS-G SOP8 4620DS 3000pcs/Reel
vs4620de-g.pdf
VS4620DE-G 40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 9 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 47 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested PDFN3333 Dual Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses Pa
vs4620dp-g.pdf
VS4620DP-G 40V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Dual N-Channel R DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m Enhancement mode I D(Silicon Limited) 48 A VitoMOS Technology I D(Package Limited) 36 A Fast Switching and High efficiency PDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg Tested Part ID Package Type Marking Packi
vs4620gd.pdf
VS4620GD 40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFET V DS 40 V Features R DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement mode R DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS Technolog I D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching losses TO-252 Part ID Package Type Marking Packing VS4620GD TO-252 4620
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History: 2N7002KT | WMM180N03TS | BFC60 | SWWF7N90D | WTM2302 | WMM07N100C2 | 2N6659-2
History: 2N7002KT | WMM180N03TS | BFC60 | SWWF7N90D | WTM2302 | WMM07N100C2 | 2N6659-2
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Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
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