Справочник MOSFET. VS4620DS-G

 

VS4620DS-G Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: VS4620DS-G
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 11 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 29 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 265 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0105 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

VS4620DS-G Datasheet (PDF)

 ..1. Size:952K  cn vgsemi
vs4620ds-g.pdfpdf_icon

VS4620DS-G

VS4620DS-G40V/11A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 8.1 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 11 m VitoMOS TechnologyI D 11 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedSOP8 Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPart ID Package Type Marking PackingVS4620DS-G SOP8 4620DS 3000pcs/Reel

 7.1. Size:955K  cn vgsemi
vs4620de-g.pdfpdf_icon

VS4620DS-G

VS4620DE-G40V/14A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 9 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 12 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 47 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 14 A 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPDFN3333 Dual Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesPa

 7.2. Size:962K  cn vgsemi
vs4620dp-g.pdfpdf_icon

VS4620DS-G

VS4620DP-G40V/36A Dual N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10V 7 m Dual N-ChannelR DS(on),TYP@ VGS=4.5V 10 m Enhancement modeI D(Silicon Limited) 48 A VitoMOS TechnologyI D(Package Limited) 36 A Fast Switching and High efficiencyPDFN5x6 Dual 100% Avalanche Tested,100% Rg TestedPart ID Package Type Marking Packi

 8.1. Size:894K  cn vgsemi
vs4620gd.pdfpdf_icon

VS4620DS-G

VS4620GD40V/29A N-Channel Advanced Power MOSFETV DS 40 VFeaturesR DS(on),TYP@ VGS=10 V 7.6 m Enhancement modeR DS(on),TYP@ VGS=4.5 V 11 m VitoMOS TechnologI D(Wire bond Limited) 29 A 100% Avalanche Tested,100% Rg tested Optimized Qg, Qgd, and Qgd/Qgs ratio to minimize switching lossesTO-252Part ID Package Type Marking PackingVS4620GD TO-252 4620

Другие MOSFET... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: WFD5N60B | IRLML9301TRPBF | STP20NM60FP | AUIRFZ34N | SSF2300A | 2N6760JANTXV | RU7550S

 

 
Back to Top

 


 
.