FDH34N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: FDH34N40
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 469 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 400 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 34 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 57 nC
Tiempo de subida (tr): 72 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 460 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.115 Ohm
Paquete / Cubierta: TO247
Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDH34N40
FDH34N40 Datasheet (PDF)
fdh34n40.pdf
August 2002FDH34N40 34A, 400V, 0.115 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple DriveSwitch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte
fdh34n40.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDH34N40FEATURESDrain Current I = 34A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.115(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
