FDH34N40 Todos los transistores

 

FDH34N40 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: FDH34N40

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 469 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 400 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm

Encapsulados: TO247

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FDH34N40 datasheet

 ..1. Size:142K  fairchild semi
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FDH34N40

August 2002 FDH34N40 34A, 400V, 0.115 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

 ..2. Size:301K  inchange semiconductor
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FDH34N40

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH34N40 FEATURES Drain Current I = 34A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.115 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Otros transistores... FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , AO4468 , FMV60N280S2HF , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH .

 

 

 

 

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