FDH34N40 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: FDH34N40
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 469 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 34 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 72 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 460 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.115 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO247

Búsqueda de reemplazo de MOSFET FDH34N40

FDH34N40 Datasheet (PDF)

..1. Size:142K fairchild semi
fdh34n40.pdf

August 2002FDH34N40 34A, 400V, 0.115 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple DriveSwitch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

..2. Size:301K inchange semiconductor
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isc N-Channel MOSFET Transistor FDH34N40FEATURESDrain Current I = 34A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.115(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

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Liste

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