FDH34N40 MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: FDH34N40
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 469 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 400 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 34 A
Максимальная температура канала (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 57 nC
Время нарастания (tr): 72 ns
Выходная емкость (Cd): 460 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.115 Ohm
Тип корпуса: TO247
FDH34N40 Datasheet (PDF)
fdh34n40.pdf
August 2002FDH34N40 34A, 400V, 0.115 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple DriveSwitch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte
fdh34n40.pdf
isc N-Channel MOSFET Transistor FDH34N40FEATURESDrain Current I = 34A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.115(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
