FDH34N40 - описание и поиск аналогов

 

FDH34N40. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: FDH34N40

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 400 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm

Тип корпуса: TO247

Аналог (замена) для FDH34N40

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH34N40 даташит

 ..1. Size:142K  fairchild semi
 fdh34n40.pdf pdf_icon

FDH34N40

August 2002 FDH34N40 34A, 400V, 0.115 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFET Applications Features Low Gate Charge Qg results in Simple Drive Switch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward Converter Ruggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

 ..2. Size:301K  inchange semiconductor
 fdh34n40.pdf pdf_icon

FDH34N40

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH34N40 FEATURES Drain Current I = 34A@ T =25 D C Drain Source Voltage- V =400V(Min) DSS Static Drain-Source On-Resistance R = 0.115 (Max) DS(on) 100% avalanche tested Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRIPTION Designed for use in switch mode power supplies and general purp

Другие MOSFET... FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , AO4468 , FMV60N280S2HF , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH .

History: AGM612MBP | SGSP230 | WM02N25M | MTH40N06 | BSC032N03SG | 2N65G-TMS-T | XP151A13A0MR

 

 

 

 

↑ Back to Top
.