Справочник MOSFET. FDH34N40

 

FDH34N40 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: FDH34N40
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 469 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 400 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 34 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 72 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 460 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.115 Ohm
   Тип корпуса: TO247
 

 Аналог (замена) для FDH34N40

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

FDH34N40 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:142K  fairchild semi
 fdh34n40.pdf pdf_icon

FDH34N40

August 2002FDH34N40 34A, 400V, 0.115 Ohm, N-Channel SMPS Power MOSFETApplications Features Low Gate Charge Qg results in Simple DriveSwitch Mode Power Supplies(SMPS), such as Requirement PFC Boost Improved Gate, Avalanche and High Reapplied dv/dt Two-Switch Forward ConverterRuggedness Single Switch Forward Converter Reduced rDS(ON) Flyback Converte

 ..2. Size:301K  inchange semiconductor
 fdh34n40.pdf pdf_icon

FDH34N40

isc N-Channel MOSFET Transistor FDH34N40FEATURESDrain Current I = 34A@ T =25D CDrain Source Voltage-: V =400V(Min)DSSStatic Drain-Source On-Resistance: R = 0.115(Max)DS(on)100% avalanche testedMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRIPTIONDesigned for use in switch mode power supplies and generalpurp

Другие MOSFET... FDD6670S , FDD6676 , FDD6676S , FDD6680S , FDD6692 , FDU6692 , FDH20N40 , FDP20N40 , IRFP064N , FMV60N280S2HF , IRF3305B , ISW65R041CFD , MDI5N40RH , MDP06N033TH , MDP06N090TH , MDP10N055TH , MDP12N50TH .

History: MSU11N50Q | 6N65KG-TF3-T | UT30P04

 

 
Back to Top

 


 
.