JFAM50N50C Todos los transistores

 

JFAM50N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JFAM50N50C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 500 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 50 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 120 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 730 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO3P
 

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JFAM50N50C Datasheet (PDF)

 ..1. Size:923K  jiaensemi
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JFAM50N50C

JFAM50N50C Silicon N-Channel Power MOSFET VDSS(TC=150) 500 V ID 50 A Features PD(TC=25) 500 W Fast Switching RDS(ON) 0.082 ESD Improved Capability Low Gate Charge (Typical Data: 140nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical: 80pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications: Power switch circuit of PC POWER Absolute

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History: IXTQ170N10P

 

 
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