JFAM50N50C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFAM50N50C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 500 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 50 A
Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
Carga de la puerta (Qg): 140 nC
Tiempo de subida (tr): 120 nS
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 730 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.1 Ohm
Paquete / Cubierta: TO3P
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JFAM50N50C Datasheet (PDF)
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jfam50n50c.pdf
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JFAM50N50C Silicon N-Channel Power MOSFET VDSS(TC=150) 500 V ID 50 A Features PD(TC=25) 500 W Fast Switching RDS(ON) 0.082 ESD Improved Capability Low Gate Charge (Typical Data: 140nC) Low Reverse transfer capacitances(Typical: 80pF) 100% Single Pulse avalanche energy Test Applications: Power switch circuit of PC POWER Absolute
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