JFAM50N50C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFAM50N50C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 500 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 500 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 50 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 120 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 730 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO3P

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFAM50N50C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFAM50N50C даташит

 ..1. Size:923K  jiaensemi
 jfam50n50c.pdf pdf_icon

JFAM50N50C

Другие IGBT... JFAM20N60D, JFAM20N60E, JFAM20N65C, JFAM20N65E, JFAM24N50C, JFAM25N50E, JFAM30N50E, JFAM30N60E, AON6380, JFAM7N90C, JFFC10N65D, JFFC13N65D, JFFC20N65C, JFFC7N65E, JFFC8N65C, JFFM13N50E, JFFM13N65D