JFFM7N90C Todos los transistores

 

JFFM7N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JFFM7N90C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 45.5 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 900 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 7 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 48 nC
   Tiempo de subida (tr): 15 nS
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 120 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.95 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

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JFFM7N90C Datasheet (PDF)

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JFFM7N90C JFFM7N90C

JFPC7N90C JFFM7N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

 ..2. Size:982K  jiaensemi
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JFFM7N90C JFFM7N90C

JFFM7N90C 900V N-Channel MOSFET General Description This Power MOSFET is produced using advanced planar stripe DMOS technology. This advanced technology has been especially tailored to minimize on-state resistance, provide superior switching performance, and withstand high energy pulse in the avalanche and commutation mode. These devices are well suited for high efficiency s

 8.1. Size:838K  jiaensemi
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JFFM7N90C JFFM7N90C

JFPC7N60C JFFM7N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 600V, RDS(on)typ. = 1.2@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a

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