STP423S MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP423S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 75 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 65 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 650 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: TO220
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STP423S datasheet
stb423s stp423s.pdf
Green Product S T B / P 4 2 3 S S amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007 P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor PR ODUC T S UMMAR Y F E ATUR E S 4 R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID S uper high dense cell design for extremely low R DS (ON) . 9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability. - 40V - 65A TO-220 & TO-263 package. 12.5 @ VG S
stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf
STx42N65M5 N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFET in I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247 Features VDSS @ RDS(on) Type ID TJmax max 3 3 3 2 1 STB42N65M5 710 V
Otros transistores... FDMC86244 , FDMC86324 , FDMC8651 , STP454 , FDMC86520L , FDMC8878 , STP4410 , FDMC8882 , 2SK3878 , FDMC8884 , STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , FDME510PZT .
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