STP423S MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STP423S
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Máxima disipación de potencia (Pd): 75 W
Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 40 V
Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 20 V
Corriente continua de drenaje |Id|: 65 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 3 V
Carga de la puerta (Qg): 48 nC
Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 650 pF
Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 0.0095 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220
Búsqueda de reemplazo de MOSFET STP423S
STP423S Datasheet (PDF)
stb423s stp423s.pdf
GreenProductS T B / P 4 2 3 SS amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPR ODUC T S UMMAR YF E ATUR E S4R DS (ON) ( m ) MaxVDS S IDS uper high dense cell design for extremely low R DS (ON).9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability.- 40V - 65ATO-220 & TO-263 package.12.5 @ VG S
stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf
STx42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFETin I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max3 3321STB42N65M5 710 V
Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , MMIS60R580P , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
