STP423S - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: STP423S
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 75 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 65 A
Cossⓘ - Выходная емкость: 650 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
Тип корпуса: TO220
Аналог (замена) для STP423S
STP423S Datasheet (PDF)
stb423s stp423s.pdf
GreenProductS T B / P 4 2 3 SS amHop Microelectronics C orp. Feb.26,2007P-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorPR ODUC T S UMMAR YF E ATUR E S4R DS (ON) ( m ) MaxVDS S IDS uper high dense cell design for extremely low R DS (ON).9.5 @ VG S = -10V High power and current handling capability.- 40V - 65ATO-220 & TO-263 package.12.5 @ VG S
stb42n65m5 stf42n65m5 sti42n65m5 stp42n65m5 stw42n65m5.pdf
STx42N65M5N-channel 650 V, 0.070 , 33 A MDmesh V Power MOSFETin I2PAK, TO-220, TO-220FP, D2PAK and TO-247FeaturesVDSS @ RDS(on) Type IDTJmax max3 3321STB42N65M5 710 V
Другие MOSFET... FDMC86244 , FDMC86324 , FDMC8651 , STP454 , FDMC86520L , FDMC8878 , STP4410 , FDMC8882 , 2SK3878 , FDMC8884 , STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , FDME510PZT .
History: IRF3256 | HD5N50 | RE1J002YN | BSC100N03MS | AO4840E | AO4405E
History: IRF3256 | HD5N50 | RE1J002YN | BSC100N03MS | AO4840E | AO4405E
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: SLI40N26C | SLB40N26C | RM150N100HD | HYG043N10NS2B | HYG043N10NS2P | HCA60R070F | FTP16N06A | AGM615MNA | AGM615MN | AGM615D | AGM614MNA | AGM614MN | AGM614MBP-M1 | AGM614MBP | AGM614D | AGM614A-G
Popular searches
d882 datasheet | tip29 transistor | s9014 transistor datasheet | 2sa1491 | 2sc1313 datasheet | 2sc984 | 2sa872 | 2sc1222



