JFPC7N60C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFPC7N60C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.6 Ohm

Encapsulados: TO220

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JFPC7N60C datasheet

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JFPC7N60C

JFPC7N60C JFFM7N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 600V, RDS(on)typ. = 1.2 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a

 7.1. Size:836K  jiaensemi
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JFPC7N60C

JFPC7N65C JFFC7N65C 650V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 7A, 650V, RDS(on)typ. = 1.3 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance, a

 8.1. Size:566K  jiaensemi
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JFPC7N60C

JFPC7N90C JFFM7N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

Otros transistores... JFPC5N60C, JFFM5N60C, JFPC5N65C, JFFC5N65C, JFPC5N80C, JFFM5N80C, JFPC5N90C, JFFM5N90C, IRF640N, JFFM7N60C, JFPC7N65C, JFFC7N65C, JFPC7N90C, JFPC8N60C, JFFM8N60C, JFPC8N65C, JFPC8N65D