JFFM8N80C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFFM8N80C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 800 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.9 Ohm

Encapsulados: TO220F

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JFFM8N80C datasheet

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JFFM8N80C

JFPC8N80C JFFM8N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

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JFFM8N80C

JFPC8N60C JFFM8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 8A, 600V, RDS(on)typ. = 0.90 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

Otros transistores... JFPC7N65C, JFFC7N65C, JFPC7N90C, JFPC8N60C, JFFM8N60C, JFPC8N65C, JFPC8N65D, JFPC8N80C, IRF9540, JFPC9N50C, JFFM9N50C, JFPC9N90C, JFFM9N90C, JFQM3N120E, JFQM3N150C, JFUX5N50D, JFDX5N50D