JFFM8N80C datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: JFFM8N80C  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm

Тип корпуса: TO220F

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для JFFM8N80C

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFFM8N80C даташит

 ..1. Size:547K  jiaensemi
 jfpc8n80c jffm8n80c.pdf pdf_icon

JFFM8N80C

JFPC8N80C JFFM8N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

 8.1. Size:843K  jiaensemi
 jfpc8n60c jffm8n60c.pdf pdf_icon

JFFM8N80C

JFPC8N60C JFFM8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 8A, 600V, RDS(on)typ. = 0.90 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

Другие IGBT... JFPC7N65C, JFFC7N65C, JFPC7N90C, JFPC8N60C, JFFM8N60C, JFPC8N65C, JFPC8N65D, JFPC8N80C, IRF9540, JFPC9N50C, JFFM9N50C, JFPC9N90C, JFFM9N90C, JFQM3N120E, JFQM3N150C, JFUX5N50D, JFDX5N50D