JFFM8N80C - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: JFFM8N80C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 800 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.9 Ohm
Тип корпуса: TO220F
Аналог (замена) для JFFM8N80C
JFFM8N80C Datasheet (PDF)
jfpc8n80c jffm8n80c.pdf
JFPC8N80C JFFM8N80C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU
jfpc8n60c jffm8n60c.pdf
JFPC8N60C JFFM8N60C 600V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 8A, 600V, RDS(on)typ. = 0.90@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,
Другие MOSFET... JFPC7N65C , JFFC7N65C , JFPC7N90C , JFPC8N60C , JFFM8N60C , JFPC8N65C , JFPC8N65D , JFPC8N80C , 8205A , JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D .
History: IRF9530NSPBF | NCEP01P35AK | NCEP02505S | IRF9620SPBF | IRF9530SMD | IRF9530S | MC08N005R
History: IRF9530NSPBF | NCEP01P35AK | NCEP02505S | IRF9620SPBF | IRF9530SMD | IRF9530S | MC08N005R
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AGM608C | AGM6080D | AGM6080C | AGM6070A | AGM606S | AGM605Q | AGM605F | AGM605C | AGM605A | AGM603F | AGM603D | AGM603C | AGM6035F | AGM6035A | AGM602C | AGM40P75D
Popular searches
ksa1015yta | 2n4240 | 2n5210 transistor | toshiba 2sc2290 | pk6d0ba mosfet | 2sd726 | c536 transistor equivalent | 2sa1294 datasheet



