JFPC9N50C Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFPC9N50C  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 192 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 22 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 96 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: TO220

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JFPC9N50C datasheet

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JFPC9N50C

JFPC9N50C JFFM9N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 9A, 500V, RDS(on)typ. = 0.85 @VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

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JFPC9N50C

JFPC9N90C JFFM9N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURES LOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

Otros transistores... JFFC7N65C, JFPC7N90C, JFPC8N60C, JFFM8N60C, JFPC8N65C, JFPC8N65D, JFPC8N80C, JFFM8N80C, 7N65, JFFM9N50C, JFPC9N90C, JFFM9N90C, JFQM3N120E, JFQM3N150C, JFUX5N50D, JFDX5N50D, JNFH20N60C