JFPC9N50C MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: JFPC9N50C
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 192 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
trⓘ - Время нарастания: 22 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 96 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
Тип корпуса: TO220
JFPC9N50C Datasheet (PDF)
jfpc9n50c jffm9n50c.pdf
JFPC9N50C JFFM9N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 9A, 500V, RDS(on)typ. = 0.85@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,
jfpc9n90c jffm9n90c.pdf
JFPC9N90C JFFM9N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU
Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 20N50 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .
History: HQB7N65C | IRF5305 | 2N6659 | HPM2305 | HPM3401A | 40600
History: HQB7N65C | IRF5305 | 2N6659 | HPM2305 | HPM3401A | 40600
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: QM1830M3 | SUN830I | SUN830F | SUN830DN | SUN830D | SUN82A20CI | SUN50A20CI | SUN09A40D | SUN05A50ZF | SUN05A50ZD | SUN05A25F | SRN1865FD | SRN1860FD | SRN1860F | SRN1665FD | SRN1660FD