JFFM9N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: JFFM9N90C
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 34 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO220F

Búsqueda de reemplazo de MOSFET JFFM9N90C

JFFM9N90C Datasheet (PDF)

..1. Size:563K jiaensemi
jfpc9n90c jffm9n90c.pdf

JFPC9N90C JFFM9N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU

8.1. Size:845K jiaensemi
jfpc9n50c jffm9n50c.pdf

JFPC9N50C JFFM9N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 9A, 500V, RDS(on)typ. = 0.85@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,

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History: IRFP450LC | IRF2807 | CEM3317 | P1603BV | MRF177M | P1520ED | P1504EDG

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: