JFFM9N90C MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: JFFM9N90C
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 900 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 137 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
Paquete / Cubierta: TO220F
Búsqueda de reemplazo de MOSFET JFFM9N90C
JFFM9N90C Datasheet (PDF)
jfpc9n90c jffm9n90c.pdf
JFPC9N90C JFFM9N90C N- MOS / N-CHANNEL POWER MOSFET RoHS FEATURESLOW THERMAL RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SU
jfpc9n50c jffm9n50c.pdf
JFPC9N50C JFFM9N50C 500V N-Channel MOSFET General Description Features This Power MOSFET is produced using advanced - 9A, 500V, RDS(on)typ. = 0.85@VGS = 10 V planar stripe DMOS technology. This advanced - Low gate charge technology has been especially tailored to minimize - High ruggedness on-state resistance, provide superior switching - Fast switching performance,
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Liste
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