JFUX5N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: JFUX5N50D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W

Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V

Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V

Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A

Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V

Carga de la puerta (Qg): 26 nC

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF

Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm

Paquete / Cubierta: TO251

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JFUX5N50D Datasheet (PDF)

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N- MOS JFUX5N50D(TO-251)/JFDX5N50D(TO-252) RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUPPLY

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