Справочник MOSFET. JFUX5N50D

 

JFUX5N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: JFUX5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A
   Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
   Общий заряд затвора (Qg): 26 nC
   Выходная емкость (Cd): 45 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO251

 Аналог (замена) для JFUX5N50D

 

 

JFUX5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  jiaensemi
 jfux5n50d jfdx5n50d.pdf

JFUX5N50D JFUX5N50D

N- MOS JFUX5N50D(TO-251)/JFDX5N50D(TO-252) RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUPPLY

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top