JFDX5N50D Todos los transistores

 

JFDX5N50D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JFDX5N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 50 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 45 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252
 

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JFDX5N50D datasheet

 ..1. Size:455K  jiaensemi
 jfux5n50d jfdx5n50d.pdf pdf_icon

JFDX5N50D

N- MOS JFUX5N50D(TO-251)/JFDX5N50D(TO-252) RoHS FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY

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