JFDX5N50D Todos los transistores

 

JFDX5N50D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: JFDX5N50D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS


   Máxima disipación de potencia (Pd): 50 W
   Voltaje máximo drenador - fuente |Vds|: 500 V
   Voltaje máximo fuente - puerta |Vgs|: 30 V
   Corriente continua de drenaje |Id|: 5 A
   Temperatura máxima de unión (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Tensión umbral entre puerta y fuente |Vgs(th)|: 4 V
   Carga de la puerta (Qg): 26 nC
   Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 45 pF
   Resistencia entre drenaje y fuente RDS(on): 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO252

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JFDX5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  jiaensemi
jfux5n50d jfdx5n50d.pdf

JFDX5N50D JFDX5N50D

N- MOS JFUX5N50D(TO-251)/JFDX5N50D(TO-252) RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUPPLY

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