Аналоги JFDX5N50D. Основные параметры
Наименование производителя: JFDX5N50D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
Тип корпуса: TO252
Аналог (замена) для JFDX5N50D
JFDX5N50D даташит
jfux5n50d jfdx5n50d.pdf
N- MOS JFUX5N50D(TO-251)/JFDX5N50D(TO-252) RoHS FEATURES LOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION ELECTRONIC BALLAST ELECTRONIC TRANSFORMER SWITCH MODE POWER SUPPLY
Другие MOSFET... JFFM8N80C , JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , 2N7002 , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , EMB09A3HP , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R .
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: APP540 | APP50N06 | APG250N01Q | APG095N01K | APG095N01 | APG082N01 | APG080N12 | APG078N07K | APG078N07 | APG070N12G | APG045N85 | APG042N01D | APG038N01G | APG035N04Q | APG032N04G | APG028N10
Popular searches
mp10b transistor | bc182b | 2n3054 transistor equivalent | 2n554 | 2sa1011 | 2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet


