JFDX5N50D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: JFDX5N50D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 50 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 30 V

Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 5 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 26 nC

Выходная емкость (Cd): 45 pf

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.5 Ohm

Тип корпуса: TO252

Аналог (замена) для JFDX5N50D

 

BUY TRANSISTORS

 

 

JFDX5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  jiaensemi
 jfux5n50d jfdx5n50d.pdf

N- MOS JFUX5N50D(TO-251)/JFDX5N50D(TO-252) RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUPPLY

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , IRLB4132 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .