Справочник MOSFET. JFDX5N50D

 

JFDX5N50D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: JFDX5N50D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 50 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 45 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: TO252
 

 Аналог (замена) для JFDX5N50D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

JFDX5N50D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:455K  jiaensemi
 jfux5n50d jfdx5n50d.pdf pdf_icon

JFDX5N50D

N- MOS JFUX5N50D(TO-251)/JFDX5N50D(TO-252) RoHS FEATURESLOW ON-RESISTANCE FAST SWITCHING HIGH INPUT RESISTANCE RoHS COMPLIANT APPLICATION: ELECTRONIC BALLASTELECTRONIC TRANSFORMERSWITCH MODE POWER SUPPLY

Другие MOSFET... JFFM8N80C , JFPC9N50C , JFFM9N50C , JFPC9N90C , JFFM9N90C , JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , K4145 , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , EMB09A3HP , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R .

History: 2N7000 | FQP65N06 | FDI2532 | SI2312

 

 
Back to Top

 


 
.