EMB09A3HP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: EMB09A3HP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 48 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 15 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 18 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 196 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.0095 Ohm
Encapsulados: DFN5X6
Búsqueda de reemplazo de EMB09A3HP MOSFET
- Selecciónⓘ de transistores por parámetros
EMB09A3HP datasheet
Otros transistores... JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , K3569 , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R , S80N18S , S80N18RN , S80N18RP , SRC60R017FB , SRC60R017FBT4G .
History: 2N6847U | IRFB3077
🌐 : EN ES РУ
Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: AUB034N10 | AUB033N08BG | AUB026N085 | AUA062N08BG | AUA060N08AG | AUA056N08BGL | AUA039N10 | ASW80R290E | ASW65R120EFD | ASW65R110E | ASW65R095EFD | ASW65R046EFD | ASW65R041EFDA | ASW65R041E | ASW60R150E | ASW60R090EFDA
Popular searches
2sa1283 | 2sb646 | 2sc1885 datasheet | 2sc2580 | 2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent
