Справочник MOSFET. EMB09A3HP

 

EMB09A3HP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: EMB09A3HP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qg ⓘ - Общий заряд затвора: 17.6 nC
   tr ⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6
 

 Аналог (замена) для EMB09A3HP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

EMB09A3HP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:291K  1
emb09a3hp.pdfpdf_icon

EMB09A3HP

EMB09A3HPNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorS2 S2 S2 G2ProductSummary:NCHQ1NCHQ2D2 / S1BVDSS30V30VRDSON(MAX.)9.5m9.5mD1ID15A15APIN 1D1 D1 D1(G1)UIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)

 9.1. Size:206K  1
emb09n03v.pdfpdf_icon

EMB09A3HP

EMB09N03VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9mID20AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20

 9.2. Size:204K  1
emb09p03v.pdfpdf_icon

EMB09A3HP

EMB09P03VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9.5mID24AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

 9.3. Size:206K  emc
emb09n03v.pdfpdf_icon

EMB09A3HP

EMB09N03VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9mID20AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20

Другие MOSFET... JFQM3N120E , JFQM3N150C , JFUX5N50D , JFDX5N50D , JNFH20N60C , JNFH20N60E , MT06N008A , CS2698ANR , SPP20N60C3 , PJF4NA65A , QM3090M6 , S80N18R , S80N18S , S80N18RN , S80N18RP , SRC60R017FB , SRC60R017FBT4G .

History: FDP020N06B

 

 
Back to Top

 


 
.