EMB09A3HP - параметры транзистора MOSFET, его аналоги, datasheet

EMB09A3HP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

   Наименование прибора: EMB09A3HP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 48 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 15 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 17.6 nC
   trⓘ - Время нарастания: 18 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 196 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.0095 Ohm
   Тип корпуса: DFN5X6

Аналог (замена) для EMB09A3HP

EMB09A3HP Datasheet (PDF)

..1. Size:291K 1
emb09a3hp.pdf

EMB09A3HPNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorS2 S2 S2 G2ProductSummary:NCHQ1NCHQ2D2 / S1BVDSS30V30VRDSON(MAX.)9.5m9.5mD1ID15A15APIN 1D1 D1 D1(G1)UIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)

9.1. Size:206K 1
emb09n03v.pdf

EMB09N03VNChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9mID20AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS20

9.2. Size:204K 1
emb09p03v.pdf

EMB09P03VPChannelLogicLevelEnhancementModeFieldEffectTransistorProductSummary:DBVDSS30VRDSON(MAX.)9.5mID24AGSUIS,Rg100%TestedPbFreeLeadPlating&HalogenFreeABSOLUTEMAXIMUMRATINGS(TC=25CUnlessOtherwiseNoted)PARAMETERS/TESTCONDITIONSSYMBOLLIMITSUNITGateSourceVoltageVGS

9.3. Size:206K emc
emb09n03v.pdf