STM9930A MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: STM9930A
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: NP
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
Encapsulados: SOP8
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STM9930A datasheet
stm9930a.pdf
Green Product S TM9930A S amHop Microelectronics C orp. Dec.20, 2005 2N and 2P Channel Enhancement Mode Field E ffect Transistor (N-C hannel) (P PR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel) VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max 35 @ VG S = 10V 53 @ VG S = -10V -30V -5.3A 30V 6A 54 @ VG S = 4.5V 75 @ VG S = -4.5V P1S P2S P2G P1G P2G N2D/P2D P1S/
stm9926.pdf
S T M9926 S amHop Microelectronics C orp. J an. 10 2008 ver1.0 Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect Transistor P R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E S S uper high dense cell design for low R DS (ON). V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable. 28 @ V G S = 4.0V 20V 6.5A S urface Mount Package. 38 @ V G S = 2.5V E S D P rotected. D1 D1 D2 D2 8 7 6 5 S O-8 1 1 2
Otros transistores... STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , FDME510PZT , FDML7610S , SPP20N60C3 , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 , FDMS2502SDC , FDMS2504SDC , FDMS2506SDC .
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