STM9930A Todos los transistores

 

STM9930A MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM9930A
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 3 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 13 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 130 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.035 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

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STM9930A Datasheet (PDF)

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STM9930A

GreenProductS TM9930AS amHop Microelectronics C orp.Dec.20, 20052N and 2P Channel Enhancement Mode Field E ffect Transistor(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max35 @ VG S = 10V 53 @ VG S = -10V-30V -5.3A30V 6A54 @ VG S = 4.5V 75 @ VG S = -4.5VP1S P2SP2GP1G P2GN2D/P2DP1S/

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STM9930A

S T M9926S amHop Microelectronics C orp. J an. 10 2008 ver1.0Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable.28 @ V G S = 4.0V20V 6.5A S urface Mount Package.38 @ V G S = 2.5VE S D P rotected.D1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2

Otros transistores... STP35N10 , FDME1023PZT , FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , FDME510PZT , FDML7610S , AON7410 , FDMQ8203 , STM9926 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 , FDMS2502SDC , FDMS2504SDC , FDMS2506SDC .

History: FDML7610S | SML802R8AN | SVSP80R180SE3 | APT6015JVR

 

 
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