Справочник MOSFET. STM9930A

 

STM9930A MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: STM9930A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2 W
   Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 30 V
   Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
   Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 3 V
   Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 6 A
   Общий заряд затвора (Qg): 13 nC
   Выходная емкость (Cd): 130 pf
   Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOP8

 Аналог (замена) для STM9930A

 

 

STM9930A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  samhop
 stm9930a.pdf

STM9930A STM9930A

GreenProductS TM9930AS amHop Microelectronics C orp.Dec.20, 20052N and 2P Channel Enhancement Mode Field E ffect Transistor(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max35 @ VG S = 10V 53 @ VG S = -10V-30V -5.3A30V 6A54 @ VG S = 4.5V 75 @ VG S = -4.5VP1S P2SP2GP1G P2GN2D/P2DP1S/

 9.1. Size:670K  samhop
 stm9926.pdf

STM9930A STM9930A

S T M9926S amHop Microelectronics C orp. J an. 10 2008 ver1.0Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable.28 @ V G S = 4.0V20V 6.5A S urface Mount Package.38 @ V G S = 2.5VE S D P rotected.D1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRF1010E , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

 

 
Back to Top