Справочник MOSFET. STM9930A

 

STM9930A Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: STM9930A
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 6 A
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
   Cossⓘ - Выходная емкость: 130 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.035 Ohm
   Тип корпуса: SOP8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

STM9930A Datasheet (PDF)

 ..1. Size:210K  samhop
 stm9930a.pdf pdf_icon

STM9930A

GreenProductS TM9930AS amHop Microelectronics C orp.Dec.20, 20052N and 2P Channel Enhancement Mode Field E ffect Transistor(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max35 @ VG S = 10V 53 @ VG S = -10V-30V -5.3A30V 6A54 @ VG S = 4.5V 75 @ VG S = -4.5VP1S P2SP2GP1G P2GN2D/P2DP1S/

 9.1. Size:670K  samhop
 stm9926.pdf pdf_icon

STM9930A

S T M9926S amHop Microelectronics C orp. J an. 10 2008 ver1.0Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable.28 @ V G S = 4.0V20V 6.5A S urface Mount Package.38 @ V G S = 2.5VE S D P rotected.D1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: IRLI640GPBF | HSU4006

 

 
Back to Top

 


 
.