STM9926 Todos los transistores

 

STM9926 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: STM9926
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 10 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 6.5 A

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 1.5 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 4.6 nC
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 160 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.028 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOP8
 

 Búsqueda de reemplazo de STM9926 MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

STM9926 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:670K  samhop
 stm9926.pdf pdf_icon

STM9926

S T M9926S amHop Microelectronics C orp. J an. 10 2008 ver1.0Dual N-C hannel E nhancement Mode Field E ffect TransistorP R ODUC T S UMMAR Y F E AT UR E SS uper high dense cell design for low R DS (ON).V DS S ID R DS (ON) ( m W ) Max R ugged and reliable.28 @ V G S = 4.0V20V 6.5A S urface Mount Package.38 @ V G S = 2.5VE S D P rotected.D1 D1 D2 D28 7 6 5S O-811 2

 9.1. Size:210K  samhop
 stm9930a.pdf pdf_icon

STM9926

GreenProductS TM9930AS amHop Microelectronics C orp.Dec.20, 20052N and 2P Channel Enhancement Mode Field E ffect Transistor(N-C hannel) (PPR ODUC T S UMMAR Y PR ODUC T S UMMAR Y -C hannel)VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max VDS S ID R DS (ON) ( m ) Max35 @ VG S = 10V 53 @ VG S = -10V-30V -5.3A30V 6A54 @ VG S = 4.5V 75 @ VG S = -4.5VP1S P2SP2GP1G P2GN2D/P2DP1S/

Otros transistores... FDME1024NZT , FDME1034CZT , STP15L01F , FDME410NZT , FDME510PZT , FDML7610S , STM9930A , FDMQ8203 , IRFB3607 , STM9435 , FDMS0312S , STM8820 , FDMS2502SDC , FDMS2504SDC , FDMS2506SDC , FDMS2508SDC , FDMS2510SDC .

History: FRK150R

 

 
Back to Top

 


 
.